Модуль памяти Kingston KHX11000D3LLK2/2G

Модуль памяти Kingston KHX11000D3LLK2/2G

Главные особенности модуля памяти Kingston KHX11000D3LLK2/2G

DDR3 1375 (PC 11000) DIMM 240-контактный, 2×1 Гб, 1.7 В, CL 7

Технические свойства модуля памяти Kingston KHX11000D3LLK2/2G

Форм-фактор: DIMM 240-контактный
Объем: 2 модуля по 1 Гб
Тип памяти: DDR3
Тактовая частота: 1375 МГц
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Пропускная способность: 11000 Мб/с
CAS Latency (CL): 7
RAS to CAS Delay (tRCD): 7
Row Precharge Delay (tRP): 7
Activate to Precharge Delay (tRAS): 20
Напряжение питания: 1.7 В
Радиатор: есть
Количество чипов каждого модуля: 16, двухсторонняя упаковка

Аналогичный товар: Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий

Вы должны быть авторизованы, чтобы разместить комментарий.